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ASEMI低压降二极管工艺技术的更新换代!

返回列表来源:ASEMI 作者:ASEMI-NEYA 发布日期:2019.06.06 浏览:-
摘要:低压降肖特基二极管,作为2016年度销量优异佼佼者,ASEMI品牌团队为您研发Low VF SKY(低压降肖特基)性能稳定...

更新换代的ASEMI低压降二极管


新型工艺技术分解


低压降肖特基二极管工艺技术是怎么样的呢?看看ASEMI工程为您解读新型工艺的分解


   

ASEMI低压降的更新换代


如今随着低压降肖特基二极管逐渐面世,SBT20100VF为何一出市就遭到疯抢?SBT20100VF和SBT20100UF又有何区别呢?


每一代的低压降肖特基二极管采用着不同LOW VF肖特基芯片制造和成品封装工艺,那么产品更新换代中又有着哪些同工异曲呢?ASEMI工程师为您分析。


低压降年度爆款


SBT20100VF和SBT20100UF此类20A,100V低正向肖特基产品是2016年市场热点产品,定额电流下,正向压降比常规肖特基低近30%。采用先进的沟槽制造工艺,可提高2%以上的满载效率.ASEMI品牌低压降肖特基的SBT20100VF和SBT20100UF,两者都是采用TRENCH先进工艺,同是三只脚共阴结构。


SBT20100VF的V代表V版LOW VF(100V V版VF=0.63v),而SBT20100UF的是代表


ULTRA LOW VF(100V U版VF=0.58v)。我们也可以从表图看出SBT20100VF和


SBT20100UF之间差异主要在于VF值。


   

历经三代更替


首先,我们ASEMI品牌的低压降肖特基二极管,历经五年开发,目前已拥有三代LOW VF SKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和快速开关特性,能助您电源产品满足电源开关效率及节能的要求,ASEMI对低压降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。


   

平面工艺分解(第二代)


ASEMI低压降肖特基第二代,采用平面MOS工艺,将MOSFET制造工艺融入于肖特基芯片制程中,增加芯片晶胞结构的密度,从而克服传统肖特基在VF和IR在参数上的平衡问题,即保持了传统肖特基的优点,又解决了传统肖特基在漏电设计上做遇到的屏障。




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