低压降肖特基二极管工艺技术是怎么样的呢?看看ASEMI工程为您解读新型工艺的分解

ASEMI低压降的更新换代

如今随着低压降肖特基二极管逐渐面世，SBT20100VF为何一出市就遭到疯抢?SBT20100VF和SBT20100UF又有何区别呢?

每一代的低压降肖特基二极管采用着不同LOW VF肖特基芯片制造和成品封装工艺，那么产品更新换代中又有着哪些同工异曲呢?ASEMI工程师为您分析。

低压降年度爆款

SBT20100VF和SBT20100UF此类20A，100V低正向肖特基产品是2016年市场热点产品，定额电流下，正向压降比常规肖特基低近30%。

采用沟槽制造工艺,可提高2%以上的满载效率.

ASEMI品牌低压降肖特基的SBT20100VF和SBT20100UF，两者都是采用TRENCH先进工艺，同是三只脚共阴结构。

SBT20100VF的V代表V版LOW VF(100V V版VF=0.63v),而SBT20100UF的是代表

ULTRA LOW VF(100V U版VF=0.58v)。我们也可以从表图看出SBT20100VF和

SBT20100UF之间差异主要在于VF值。

历经三代更替

ASEMI品牌的低压降肖特基二极管，历经五年开发，目前已拥有三代LOW VF SKY。

该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和快速开关特性，能助您电源产品加强电源开关效率及节能的要求，ASEMI对低压降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。

平面工艺分解(第二代)

ASEMI低压降肖特基第二代，采用平面MOS工艺，将MOSFET制造工艺融入于肖特基芯片制程中，增加芯片晶胞结构的密度，从而克服传统肖特基在VF和IR在参数上的平衡问题，即保持了传统肖特基的优点，又解决了传统肖特基在漏电设计上做遇到的屏障。ASEMI品牌五年来对该技术专研，如今又有着何“芯”突破呢?